Si vous n’êtes pas familier avec cette technologie, il s’agit de la norme de stockage de nouvelle génération qui augmente considérablement le taux de transfert de stockage sur les appareils mobiles.
Bien que nous pensions que le nouveau Galaxy S10 aurait également cette capacité de stockage, il ne l’a pas car il dispose d’une mémoire flash eUFS 2.1. Cette mémoire est toujours très rapide, mais pas aussi rapide que le Galaxy Fold.
Samsung a annoncé mardi qu’il était prêt à produire en masse des modules de stockage eUFS 3.0 de 512 Go basés sur la technologie V-NAND de cinquième génération de la société. Les versions 1 To arriveront dans la seconde moitié de l’année, ce qui suggère que le Galaxy Note 10 pourrait arriver avec la nouvelle puce eUFS 3.0.
La mémoire eUFS 2. Le disque de 1 To inclus avec le Galaxy S10+ atteint des vitesses de lecture et d’écriture séquentielles de 1 000 Mo/s et 260 Mo/s, tandis que les vitesses de lecture et d’écriture aléatoires sont de 58 000 IOPS et 50 000 IOPS.
La capacité de stockage eUFS 3.0 de 512 Go du Galaxy Fold atteint 2 100 Mo/s, 410 Mo/s, 63 000 IOPS et 68 000 IOPS. Il s’agit d’une amélioration significative par rapport à eUFS 2.1.
